АЛФЕРОВ, ЖОРЕС ИВАНОВИЧ

АЛФЕРОВ, ЖОРЕС ИВАНОВИЧ, русский физик.

Родился 15 марта 1930 в Витебске. Его родители, убежденные коммунисты, окрестили старшего сына (в возрасте 20 лет он погиб на войне) Марксом, а младшего – Жоресом, в честь основоположника французской социалистической партии. Отец был «красным директором» разных военных заводов, семью кидало из города в город. Семилетку Жорес закончил на Сясьстрое (Урал), а в 1945 родители переехали в Минск; тут в 1948 Алферов закончил 42-ю среднюю школу, где физику преподавал Я.Б.Мельцерзон – «учитель милостью божьей», ухитрившийся в разоренной школе, без физического кабинета, привить воспитанникам интерес и влюбленность к своему предмету. По его совету Алферов поступил в Ленинградский электротехнический институт на факультет электронной техники. В 1953 он закончил институт и как один из лучших студентов был принят на работу в Физико-технический институт в лабораторию В.М.Тучкевича. В данном институте Алферов действует и поныне, с 1987 – в качестве директора.

В первой половине 1950-х годов лаборатория Тучкевича начала разрабатывать отечественные полупроводниковые приборы на базе монокристаллов германия. Алферов принял участие в разработке первых в СССР транзисторов и силовых германиевых тиристоров, а в 1959 защитил кандидатскую диссертацию, посвященную изучению германиевых и кремниевых силовых выпрямителей. В те годы была в первый раз высказана идея использования не гомо-, а гетеропереходов в полупроводниках для создания наиболее эффективных приборов. Но почти все считали работу над гетеропереходными структурами бесперспективной, так как к тому времени создание близкого к безупречному перехода и подбор гетеропар казались неразрешимой задачей. Но на базе так называемых эпитаксиальных методов, позволяющих модифицировать параметры полупроводника, Алферову удалось подобрать пару – GaAs и GaAlAs – и создать действенные гетероструктуры. Он и сейчас любит пошутить на эту тему, говоря, что «нормально – это когда гетеро, а не гомо. Гетеро – это обычный путь развития природы».

Начиная с 1968 развернулось соревнование ЛФТИ с американскими фирмами Bell Telephone, IBM и RCA – кто первый разработает промышленную технологию создания полупроводников на гетероструктурах. Российским ученым удалось практически на месяц опередить соперников; первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан также в России, в лаборатории Алферова. Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, удачно использованных в 1986 на космической станции «Мир»: батареи работали весь срок эксплуатации до 2001 в отсутствии заметного снижения мощности.

Технология конструирования полупроводниковых систем достигла такового значения, что стало возможным задавать кристаллу фактически всевозможные характеристики: в частности, если расположить запрещенные зоны определенным образом, то электроны проводимости в полупроводниках смогут передвигаться только в одной плоскости – получится так называемая «квантовая плоскость». Если расположить запрещенные зоны по другому, то электроны проводимости смогут передвигаться только в одном направлении – это «квантовая проволока»; можно и вовсе перекрыть возможности движения свободных электронов – получится «квантовая точка». Именно получением и изучением свойств наноструктур пониженной размерности – квантовых проволок и квантовых точек – занимается сейчас Алферов.

По известной физтеховской традиции Алферов многие годы сочетает научные исследования с преподаванием. С 1973 он заведует базовой кафедрой оптоэлектроники Ленинградского электротехнического института (сейчас Санкт-Петербургский электротехнический университет), с 1988 он – декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Научный авторитет Алферова очень высок. В 1972 он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 – ее действительным членом, в 1990 – вице-президентом Российской академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Алферов – почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий. Награжден Золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987), премией А.П.Карпинского и премией А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).

В 2000 Алферов получил Нобелевскую премию по физике «за достижения в электронике» вместе с американцами Дж.Килби и Г.Крёмером. Крёмер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Крёмер получили половину денежной премии), а Килби– за исследование идеологии и технологии создания микрочипов (вторую половину).